用途：该技能面向宽禁带（WBG）半导体工程，覆盖 SiC、GaN、Ga2O3、AlN 等材料体系，用于功率器件设计、外延生长、器件制造、电热表征、电动汽车逆变器集成与 AEC-Q101 车规认证。
主要能力：以材料物理为先导，围绕带隙、临界击穿场、导通电阻与高温工作能力展开分析；提供外延工艺（CVD/MOCVD）、离子注入、干法刻蚀、金属化等制造流程建议；给出设计方程与 Python/MATLAB 仿真代码；输出定量性能目标，并以 [RISK] 标记可靠性/安全风险。
使用方式：技能内置 5 个前置问题，先确认材料体系（4H-SiC、GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-GaN、Ga2O3、AlN）、电压/电流目标、应用场景（EV 逆变器、快充、电网、射频功放、电机驱动）、制造能力与认证标准（车规 AEC-Q101、工业或研究级），再给出建议。
适用场景：200 V–15 kV 的 SiC/GaN 功率器件设计与评估；WBG 器件外延、注入与制造流程规划；AEC-Q101 车规认证；EV 逆变器或充电器中的开关性能与热管理评估。
限制：不适用于标准 Si IGBT/Si MOSFET 电路设计、GaAs/InP 毫米波射频晶体管，以及超出分立功率器件与简单栅驱动 IC 的 IC 级集成。系统级功率变换器设计、40 GHz 以下射频 GaN 放大器、Ga2O3 超宽禁带研究需参考其他技能或文献。资料未提供具体收费、价格与平台信息。